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| 제조업체 부품 | TK58E06N1,S1X |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 58A TO220 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 가족 | 트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일 |
| 수명주기: | New from this manufacturer. |
| 배달: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| 지불 | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| 데이터 시트 | TK58E06N1,S1X PDF |
| 재고 | 30 |
|---|---|
| 단가 | $ 1.39000 |
TK58E06N1,S1X Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈: | U-MOSVIII-H |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 펫 타입: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 60 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 58A (Ta) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
| (최대) @ id, vgs의 rds: | 5.4mOhm @ 29A, 10V |
| vgs(일) (최대) @ 아이디: | 4V @ 500µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 46 nC @ 10 V |
| vgs(최대): | ±20V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 3400 pF @ 30 V |
| 펫 특징: | - |
| 전력 손실(최대): | 110W (Tc) |
| 작동 온도: | 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지: | TO-220 |
| 패키지/케이스: | TO-220-3 |
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